- 技术参数
Technical parameters
- 实验案例
Experimental cases
- 应用提示
Application Tips
- 配件详情
Accessory Details
主要特点
高熔点物质能够在低温下合成
可生长单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种物质不仅可以在基片上进行生长，还可以在粉体表面生长
双层壳体结构，便带有风冷系统，使得壳体表面温度小于55度
内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率,同时也可以延长仪器的使用寿命三个温区，可以独立控温
基本参数
一、加热炉温度: 1100C (1200C<1h)
总温区长度:
880mm(220mm+440mm+220m)
升温速率:≤10C/min
” 三个精密温度控制器分别控制三个温区
恒温精度:土1C
热偶:型热偶
电源: AC208-240 50/60Hz
功率:最大7KW
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